恒通跃达
解决方案
SOLUTION
解决方案
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用,是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性,不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等最新需求,还可以降低50%以上的能量损失,最高可使装备体积减小近75%,在半导体材料领域具有里程碑意义。
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